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純硅膜的厚度有5nm, 9nm, 15nm, 35nm，利用濺射沉積純硅，允許對(duì)含氮和/或碳的樣品進(jìn)行元素分析。單晶純硅具有<1-0-0>取向，制作35 nm的薄膜，用于衍射研究和其它需要從單晶薄膜中獲得均勻的背景應(yīng)用，。無孔硅薄膜輕微起皺，大約100微米間距有5微米或更少的偏轉(zhuǎn)，這對(duì)于高分辨率成像來說通常是沒有問題的。納米多孔硅Nanoporous采用P30膜使多孔窗口更加多孔，孔徑一般在10-60納米范圍。
l 納米級(jí)別的厚度-成像窗口的厚度為5到35 nm，降低背景的干擾，以更高的對(duì)比度成像。5nm厚的無孔純硅窗口比市面上最薄的非晶碳膜更薄。
l 可等離子清洗-可以強(qiáng)力等離子清洗，去除有機(jī)污染，不像傳統(tǒng)的碳膜
l 場(chǎng)到場(chǎng)的均勻性-非多孔純硅窗口比碳膜更薄，減少了場(chǎng)到場(chǎng)的可變性.(注：多孔窗口確實(shí)具有固有的結(jié)晶特征，但具有無背景納米尺度的孔隙)。
l 降低色彩模糊-與市面上最薄的無定形碳膜相比，5nm無孔純硅窗口的色彩模糊減少一半。這種巨大的差異是由于電子通過硅窗口的薄膜的非彈性散射減少了兩倍。反過來，減少的色彩模糊提供了一個(gè)潛在的成像分辨率的兩倍提高。
l 納米尺寸孔-純硅窗口可作為孔徑為5~50 nm的多孔薄膜。孔隙允許簡(jiǎn)單和穩(wěn)定的懸浮納米材料進(jìn)行成像，而不干涉背景。
l 硅成分優(yōu)點(diǎn)- 純硅窗口的元素硅組分在高束流和高退火溫度下顯著提高了穩(wěn)定性。純硅成分還引入了最小的背景信號(hào)，使含有氮和/或碳的樣品的元素分析可以通過EDX和EELS進(jìn)行。
l 孤立的多晶體硅-多孔純硅窗口的多晶特性為x射線衍射研究提供了內(nèi)部校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。孤立的晶體特征也為高分辨率尺寸測(cè)量提供了一個(gè)方便可靠的尺度，硅的晶格特征也很好。
l 親水性-無孔和多孔純硅窗口的親水性可通過等離子體和/或臭氧處理來調(diào)節(jié)，從而使樣品的制備變得更加容易，特別是在水溶液中的樣品。
l 高穩(wěn)定性能-在高束流和高退火溫度下(無孔600°C，納米孔>1000°C)
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貨號(hào) |
產(chǎn)品描述 |
窗口尺寸 |
膜厚度 |
規(guī)格 |
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76042-70 |
Single Crystal Pure Si TEM Window |
(8) 100µm, |
35nm |
10/pk |
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76042-71 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
25µm sq. |
5nm |
10/pk |
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76042-72 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
(8) 50µm sq., |
5nm |
10/pk |
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76042-73 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
(2) 50x1500µm |
5nm |
10/pk |
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76042-74 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
(8) 100 sq., |
9nm |
10/pk |
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76042-75 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
(2) 100x1500µm |
9nm |
10/pk |
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76042-76 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
(8) 100 sq., |
15nm |
10/pk |
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76042-77 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
(2) 100x1500µm |
15nm |
10/pk |
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76042-78 |
Nanoporous Pure Si TEM Window |
500µm sq. |
- |
10/pk |
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76042-79 |
Nanoporous Pure Si TEM Window |
(8) 100 sq., |
- |
10/pk |
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